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產(chǎn)品中心

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硅光電探測器
產(chǎn)品簡介

DSi系列硅光電探測器 高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型,使用范圍:200~1100nm;

產(chǎn)品型號:DSi系列
更新時(shí)間:2024-05-19
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:6721
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DSi系列硅光電探測器的詳細(xì)介紹

■ DSi200/DSi300硅光電探測器的規(guī)格參數(shù):

(Si)
———室溫型探測器,波長范圍:200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同,其中:
◆ DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏
◆ DSi300型內(nèi)裝國產(chǎn)低暗電流
◆ 推薦配合I-V放大器(型號:ZAMP)使用
兩種型號的光譜響應(yīng)度曲線圖:(右)
   

DSi系列的型號列表及主要技術(shù)指標(biāo):

技術(shù)指標(biāo)\型號名稱

DSi200 紫敏硅探測器

DSi300 硅探測器

 

進(jìn)口紫外增強(qiáng)型

國產(chǎn)低暗電流型

有效接收面積(mm2)

100(Φ11.28)

100(10×10)

波長范圍(nm)

200-1100

300-1100

峰值波長(nm)

-------

800±20

峰值波長響應(yīng)度(A/W)

0.52

>0.4

254nm的響應(yīng)度(A/W)

0.14(>0.09)

-------

響應(yīng)時(shí)間(μs)

5.9

-------

工作溫度范圍(℃)

-10~ 60

-------

儲(chǔ)存溫度范圍(℃)

-20~ 70

-------

分流電阻RSH(MΩ)

10(>5)

-------

等效噪聲功率NEP (W/√Hz)

4.5×10-13

-------

暗電流(25℃;-1V)

-------

1X10-8—5×10-11 A

結(jié)電容(pf)

4500

<3000(-10V)

信號輸出模式

電流

電流

輸出信號性

正(P)

正(P)

   

DSi系列的的使用建議:
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP(Page85做為前級放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號,標(biāo)明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號,但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度;
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時(shí),建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測靈敏度;
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(Page95)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器,故可不再需要另行選配前置放大器。

 

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